分子束外延残余气体分析四极质谱仪

A residual gas system configured for molecular beam epitaxy applications.

Measures residual gases and provides for contamination and leak detection in MBE systems.

仪器简介

主要特点

技术规格

相关应用

HALO 201 MBE 分子束外延残余气体分析四极质谱仪用于泄漏探测、趋势分析、真空诊断的过程监测和残余气体的精确分析。

该分子束外延特定分析质谱仪由兼容性材料组成，并能在分子束外延环境中长期使用。

·钼铜布线增加MBE环境下系统的寿命

·抗污染离子源护罩

·双法拉第/ channelplate电子倍增器

·质量数范围： 1～300 amu

·扫描速度： 100amu/s

·最小扫描步阶：0.01amu

·灵敏度： 0.1 ppm～1ppm

·稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5%

·最小检测分压：2 x 10^-13 mbar

·最大工作压力：1 x 10^-4mbar