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分子束外延残余气体分析四极质谱仪

A residual gas system configured for molecular beam epitaxy applications.

Measures residual gases and provides for contamination and leak detection in MBE systems.

HALO 201 MBE 分子束外延残余气体分析四极质谱仪用于泄漏探测、趋势分析、真空诊断的过程监测和残余气体的精确分析。

该分子束外延特定分析质谱仪由兼容性材料组成,并能在分子束外延环境中长期使用。

 

·钼铜布线增加MBE环境下系统的寿命

·抗污染离子源护罩

·双法拉第/ channelplate电子倍增器

 

·质量数范围:   1300 amu

·扫描速度:      100amu/s

·最小扫描步阶:0.01amu

·灵敏度:         0.1 ppm1ppm

·稳定性:         24h以上,峰高变化小于±0.5%

·最小检测分压:2 x 10-13 mbar

·最大工作压力:1 x 10-4 mbar

 
  应用介绍
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